多晶硅与单晶硅的分散剖析

2018-10-22 09:09 作者:创新研发 来源:w66利来国际老牌

  多晶硅与单晶硅的分散剖析

  一、多晶硅电池与单晶硅电池的比较

  1954年,美国贝尔实验室研制成功榜首块单晶硅太阳电池,创始了人类太阳能的新纪元。1998年国际范围内多晶硅太阳电池产值79.9MW,初次超越了单晶硅太阳电池产值(75MW),并且接连三年持续增长,至2001年多晶硅太阳电池的市场份额已达52%,远远超越单晶硅太阳电池35%的市场份额。现在国际上单晶硅太阳电池的最高转化功率早就到达24.7% ,高于2004年由德国人制造的20.3%的多晶硅太阳电池最高功率。出产线上单晶硅太阳电池的功率高于多晶硅太阳电池功率约1个百分点。多晶硅太阳电池与单晶硅太阳电池比较有如下特色:

  (1)比起单晶硅,多晶硅硅片更适合用纯度相对较低的原材料,且有更大的装填量,现在常见的多晶硅锭到达250~270千克。

  (2)多晶硅太阳电池是规范正方形,与准方形的单晶硅太阳电池比较多晶硅太阳电池在组件封装有更高的占空比。

  (3)制备多晶硅晶锭比制备单晶硅晶锭消耗更少的能量,相同时间内可冷凝更多的多晶硅晶锭,出产功率更高。

  (4)多晶硅和单晶硅太阳电池内涵质量和在同一环境下的使用寿命相同。

  (5)单晶硅太阳电池较易完成薄片制备,而多晶硅太阳电池则较难完成薄片制备。单晶硅与多晶硅太阳电池各有优缺点,现在两种电池都在并行开展。

  多晶硅片是由许多不同的单晶硅组成,各单晶晶粒晶向不同,形状也不规则。同一晶粒内部原子摆放呈周期性和有序性。多晶硅与单晶硅的首要区别是不同晶向的晶粒间存在晶界。晶粒间结构杂乱,硅原子无序摆放,可能存在深能级缺点的杂质。k8凯发,一方面,界面耗尽了晶界邻近的载流子构成具有必定宽度的耗尽层和势垒;另一方面,作为复合中心浮获电子和空穴。晶界势垒阻止载流子的传输,增大了串联电阻;晶界的复合丢失减低了搜集率,增加了暗电流;对填充因子晦气,对开路电压和短路电流也晦气。还有,晶粒晶界内存在相对较多的杂质,构成漏电电流下降电池的并联电阻。同一多晶硅硅片的晶粒越小晶界越多,增大晶粒尺度能够削减晶界的量,进步多晶硅的功能。

  鉴于多晶硅的以上结构特色。多晶硅太阳电池制造过程中各个环节均与单晶硅太阳电池的制造具有不同的特色。